PREPARATION OF A THIN SILICON-NITRIDE LAYER BY PHOTO-CVD AND ITS APPLICATION TO INP MISFETS

被引：13

作者：

TAKAHASHI, S

NAKADA, T

KAMIMURA, K

ZAMA, H

HATTORI, T

KUNIOKA, A

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1606

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1606 / L1609

页数：4