MECHANICALLY INDUCED SURFACE DAMAGE IN GALLIUM ARSENIDE

被引：3

作者：

LAISTER, D

JENKINS, GM

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1970年 / 13卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90131-0

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1200 / &

相关论文

共 2 条

[1] BUIOCCHI CJ, 1967, J APPL PHYS, V38, P1880
[2] GROWTH PECULIARITIES OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS
STEINEMANN, A
ZIMMERLI, U
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1963, 6 (06) : 597 - &