INFLUENCE OF SPIN DEFECTS ON RECOMBINATION AND ELECTRONIC TRANSPORT IN AMORPHOUS-SILICON

被引：83

作者：

VOGETGROTE, U

KUMMERLE, W

FISCHER, R

STUKE, J

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES | 1980年 / 41卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1080/13642818008245375

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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