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INFLUENCE OF SPIN DEFECTS ON RECOMBINATION AND ELECTRONIC TRANSPORT IN AMORPHOUS-SILICON
被引:83
作者
:
VOGETGROTE, U
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VOGETGROTE, U
KUMMERLE, W
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KUMMERLE, W
FISCHER, R
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FISCHER, R
STUKE, J
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STUKE, J
机构
:
来源
:
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
|
1980年
/ 41卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1080/13642818008245375
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:127 / 140
页数:14
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