CURRENT-KINK NOISE OF N-CHANNEL ENHANCEMENT ESFI-MOS SOS TRANSISTORS

被引：11

作者：

FICHTNER, W ^{[1
]}

HOCHMAIR, E ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV WIEN,INST PHYS ELEKTR,A-1040 WIEN,AUSTRIA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1977年 / 13卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770479

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：675 / 676

页数：2

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共 2 条

[1]

FICHTNER W, 1976, NOISE MEASUREMENTS S

[2] INFLUENCE OF FLOATING SUBSTRATE POTENTIAL ON CHARACTERISTICS OF ESFI MOS-TRANSISTORS [J].

TIHANYI, J ;

SCHLOTTERER, H .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1975, 18 (04) :309-314