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SELF-ALIGNED, EMITTER-EDGE-PASSIVATED AL-GAAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS WITH EXTRAPOLATED MAXIMUM OSCILLATION FREQUENCY OF 350 GHZ
被引:1
作者
:
HO, WJ
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0
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0
机构:
ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
HO, WJ
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WANG, NL
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ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
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WANG, NL
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CHANG, MF
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ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
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CHANG, MF
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SAILER, A
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ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
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SAILER, A
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HIGGINS, JA
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ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
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HIGGINS, JA
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机构
:
[1]
ROCKWELL INT SCI CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1992年
/ 39卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/16.163515
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
[No abstract available]
引用
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共 1 条
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HO WJ, 1990 P IEEE GAAS IC, P67
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