RADIATION HARDNESS ON SUB-MICRON NMOS

被引：2

作者：

CHEN, JY

PATTERSON, DO

MARTIN, R

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

[2] USN ACAD,ANNAPOLIS,MD 21402

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1981年 / 28卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1981.4335720

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：4314 / 4317

页数：4

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共 2 条

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