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ELECTRICAL PROPERTIES OF MELT-GROWN SILICON MONOARSENIDE
被引:6
作者
:
CHU, TL
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CHU, TL
KELM, RW
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KELM, RW
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1971年
/ 14卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(71)90114-6
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1259 / &
相关论文
共 5 条
[1]
CRYSTAL GROWTH OF SILICON ARSENIDE
CHU, TL
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CHU, TL
KELM, RW
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KELM, RW
CH, SSC
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CH, SSC
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(03)
: 1169
-
&
[2]
PREPARATION AND PROPERTIES OF PYRITE-TYPE SIP2 AND SIAS2
DONOHUE, PC
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DONOHUE, PC
SIEMONS, WJ
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SIEMONS, WJ
GILLSON, JL
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GILLSON, JL
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1968,
29
(05)
: 807
-
&
[3]
VAPOR GROWN SIAS CRYSTALS
ING, SW
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ING, SW
CHIANG, YS
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CHIANG, YS
HAAS, W
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HAAS, W
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1967,
114
(07)
: 761
-
&
[4]
Silicium arsenide
Klemm, W
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Klemm, W
Pirscher, P
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Pirscher, P
[J].
ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE,
1941,
247
(03):
: 211
-
220
[5]
WADSTEN T, 1965, ACTA CHEM SCAND, V19, P1233
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共 5 条
[1]
CRYSTAL GROWTH OF SILICON ARSENIDE
CHU, TL
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CHU, TL
KELM, RW
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KELM, RW
CH, SSC
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CH, SSC
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(03)
: 1169
-
&
[2]
PREPARATION AND PROPERTIES OF PYRITE-TYPE SIP2 AND SIAS2
DONOHUE, PC
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DONOHUE, PC
SIEMONS, WJ
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SIEMONS, WJ
GILLSON, JL
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GILLSON, JL
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1968,
29
(05)
: 807
-
&
[3]
VAPOR GROWN SIAS CRYSTALS
ING, SW
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ING, SW
CHIANG, YS
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CHIANG, YS
HAAS, W
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HAAS, W
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1967,
114
(07)
: 761
-
&
[4]
Silicium arsenide
Klemm, W
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Klemm, W
Pirscher, P
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Pirscher, P
[J].
ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE,
1941,
247
(03):
: 211
-
220
[5]
WADSTEN T, 1965, ACTA CHEM SCAND, V19, P1233
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