ELECTRON HALL EFFECT IN SILICON DIOXIDE

被引:47
作者
GOODMAN, AM
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1967年 / 164卷 / 03期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.164.1145
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1145 / &
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