GAAS/ALGAAS HETEROJUNCTION EMITTER-DOWN BIPOLAR-TRANSISTORS FABRICATED ON GAAS-ON-SI SUBSTRATE

被引：24

作者：

TRAN, LT

LEE, JW

SHICHIJO, H

YUAN, HT

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1987.26548

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：50 / 52

页数：3

共 6 条

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