MEASUREMENTS OF MULTIPLICATION EFFECTS ON NOISE IN SILICON AVALANCHE DIODES

被引：7

作者：

NAQVI, IM

LEE, CA

DALMAN, GC

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1968年 / 56卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1968.6783

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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