ELECTRONIC-PROPERTIES OF SILICON INTERFACES PREPARED BY DIRECT BONDING

被引：4

作者：

BENGTSSON, S

ENGSTROM, O

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1988年 / 49卷 / C-4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1988412

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：63 / 66

页数：4

共 7 条

ENGSTROM, O ;

DRUGGE, B ;

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