CHARGE TRAPPING AND BREAKDOWN IN THIN SIO2 POLYSILICON-GATE MOS CAPACITORS

被引：16

作者：

DUTOIT, M ^{[1
]}

FAZAN, P ^{[1
]}

BENJELLOUN, A ^{[1
]}

ILEGEMS, M ^{[1
]}

MORET, JM ^{[1
]}

机构：

[1] SWISS CTR ELECTR & MICROTECHNOL,CH-2000 NEUCHATEL,SWITZERLAND

来源：

关键词：

CHARGE TRAPPING - DIELECTRIC BREAKDOWN;

D O I：

10.1016/0169-4332(87)90110-3

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：333 / 338

页数：6

共 8 条

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