CURRENT OSCILLATION RELATED TO N=3 SUBBAND LEVELS UP TO ROOM-TEMPERATURE IN INGAAS INALAS MQW DIODES

被引：20

作者：

KAWAMURA, Y

WAKITA, K

OE, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1603

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1603 / L1605

页数：3