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FABRICATION OF HIGH-QUALITY SILICIDE LAYERS BY ION-IMPLANTATION
被引：6
作者：
REESON, KJ
DEVEIRMAN, A
GWILLIAM, R
JEYNES, C
SEALY, BJ
LANDUYT, J
BUSSMANN, U
LINDNER, JKN
TEKAAT, EH
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-217
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：217 / 222
页数：6
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