A STABLE HYDROGEN-SENSITIVE PD GATE METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR CAPACITOR

被引：28

作者：

ARMGARTH, M

NYLANDER, C

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1981年 / 39卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.92528

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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页码：91 / 92

页数：2

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[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1975, 26 (02) : 55 - 57
[2] LUNDSTROM I, 1975, J APPL PHYS, V46, P3876
[3] SVENSSON CM, 1980, P INT TOPICAL C RALE