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HIGH 2DEG MOBILITY AND FABRICATION OF HIGH-PERFORMANCE ALGAAS/GAAS SELECTIVELY DOPED HETEROSTRUCTURE TRANSISTORS AND RING OSCILLATORS ON SI SUBSTRATES
被引：4
作者：
CHAND, N
REN, F
VANDERZIEL, JP
CHEN, YK
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-287
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：287 / 296
页数：10
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