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V3+ CENTERS IN GAAS AND GAP - AN ENDOR INVESTIGATION
被引：5
作者：
HAGE, J
NIKLAS, JR
SPAETH, JM
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/9/011
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：773 / 781
页数：9
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