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THE IMPACT OF DATA-LINE INTERFERENCE NOISE ON DRAM SCALING
被引:42
作者
:
NAKAGOME, Y
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NAKAGOME, Y
AOKI, M
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AOKI, M
IKENAGA, S
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IKENAGA, S
HORIGUCHI, M
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HORIGUCHI, M
KIMURA, S
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KIMURA, S
KAWAMOTO, Y
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KAWAMOTO, Y
ITOH, K
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ITOH, K
机构
:
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1988年
/ 23卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/4.5933
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1120 / 1127
页数:8
相关论文
共 5 条
[1]
AOKI M, 1988, FEB ISSCC DIG TECH P, P250
[2]
HIDAKA H, 1988, FEB ISSCC, P238
[3]
IKENAGA S, 1987, OCT C IECE JAP C REC, P1
[4]
A 5 V-ONLY 64K DYNAMIC RAM BASED ON HIGH S-N DESIGN
MASUDA, H
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HITACHI LTD,CTR DEVICE DEV,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN
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HORI, R
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KATTO, H
[J].
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1980,
15
(05)
: 846
-
854
[5]
YOSHIDA M, 1985, MAY S VLSI TECHN, P66
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共 5 条
[1]
AOKI M, 1988, FEB ISSCC DIG TECH P, P250
[2]
HIDAKA H, 1988, FEB ISSCC, P238
[3]
IKENAGA S, 1987, OCT C IECE JAP C REC, P1
[4]
A 5 V-ONLY 64K DYNAMIC RAM BASED ON HIGH S-N DESIGN
MASUDA, H
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KATTO, H
[J].
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,
1980,
15
(05)
: 846
-
854
[5]
YOSHIDA M, 1985, MAY S VLSI TECHN, P66
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