TRUE SURFACE-TEMPERATURE OF A SILICON WAFER AND THE RELATED ETCH RATE IN A CF4 PLASMA

被引：6

作者：

EISELE, KM

机构：

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1978年 / 13卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:019780013012070100

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：701 / 703

页数：3

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