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ETCHING CHARACTERISTICS OF SILICON AND ITS COMPOUNDS BY GAS PLASMA
被引：33
作者：
ABE, H
SONOBE, Y
ENOMOTO, T
机构：
[1] MITSUBISHI ELECT CORP,CENT RES LAB,AMAGASAKI,HYOGO,JAPAN
[2] MITSUBISHI ELECTR CORP,KITAITAMI WORKS,ITAMI,HYOGO,JAPAN
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.12.154
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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