RECOMBINATION RADIATION FROM HOT ELECTRONS IN SILICON

被引：8

作者：

DAVIES, LW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.4.11

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：11 / 12

页数：2

相关论文

共 8 条

[1] BOK J, 1959, THESIS U PARIS
[2] GUNN JB, 1957, PROGRESS SEMICONDUCT, V2, P211
[3] HAYNES, 1959, J PHYS CHEM SOLIDS, V8, P392
[4] LEDERHANDLER SR, 1955, P IRE, V43, P478
[5] MACFARLANE, 1959, J PHYS CHEM SOLIDS, V8, P388
[6] HOT ELECTRONS IN GERMANIUM AND OHMS LAW
SHOCKLEY, W
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1951, 30 (04): : 990 - 1034
[7] STRATTON R, 1958, J ELECTRON CONTR, V5, P157
[8] ZWERDLING, 1959, J PHYS CHEM SOLIDS, V8, P397