FORMATION OF SILICON-NITRIDE COMPOUND LAYERS BY HIGH-DOSE NITROGEN IMPLANTATION

被引：44

作者：

TSUJIDE, T ^{[1
]}

NOJIRI, M ^{[1
]}

KITAGAWA, H ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT ENGN CO LTD,KAWASAKI,JAPAN

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 51卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.327763

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1605 / 1610

页数：6

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