0.1-MU-M GATE-LENGTH SUPERCONDUCTING FET

被引：48

作者：

NISHINO, T

HATANO, M

HASEGAWA, H

MURAI, F

KURE, T

HIRAIWA, A

YAGI, K

KAWABE, U

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1989年 / 10卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/55.32429

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：61 / 63

页数：3

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共 13 条

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