STATISCHE EIGENSCHAFTEN VON SILIZIUMDIODEN IM SPERRBEREICH MIT BESONDERER BERUCKSICHTIGUNG ABRUPTER P-N-UBERGANGE .2. DIE SPERRSCHICHTKAPAZITAT

被引:1
作者
ANTULA, J
机构
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI | 1963年 / 3卷 / 10期
关键词
D O I
10.1002/pssb.19630031007
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
收藏
页码:1840 / 1845
页数:6
相关论文
共 3 条
[1]   STATISCHE EIGENSCHAFTEN VON SILIZIUMDIODEN IM SPERRBEREICH MIT BESONDERER BERUCKSICHTIGUNG ABRUPTER P-N-UBERGANGE .1. DER SPANNUNGSDURCHHRUCH [J].
ANTULA, J .
PHYSICA STATUS SOLIDI, 1963, 3 (10) :1829-1839
[2]  
SMITH PA, 1959, SEMICONDUCTORS
[3]  
SPENKE E, 1955, ELEKTRONISCHE HALBLE