OPTIMIZATION OF HF LAST AND OXIDANT WET CLEANINGS FOR 7 NM GATE OXIDE

被引：4

作者：

TARDIF, F

LARDIN, T

PAILLET, C

JOLY, JP

BENEYTON, B

机构：

[1] LETI (CEA-Technologies Avancées), MEL, CEN/G, F-38054 Grenoble

[2] SGS, Thomson Centre Commun

[3] Riedel-de Haën AG

来源：

MICROELECTRONIC ENGINEERING | 1995年 / 28卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(95)00028-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：121 / 124

页数：4

共 6 条

[1]

Nakamura, Futatsuki, Makihara, Ohmi, ECS, Volume 93/92, (1993)

[2]

Verhaverbeke, IMEC thesis, (1993)

[3]

Graf, Brohl, Bauer-Mayer, Ehlert, Wagner, MRS, spring meeting, (1993)

[4]

Alay, Verhaverbeke, Vandervost, Heyns, Critical Parameters for Obtaining Low Particle Densities on a Si Surface in an HF-Last Process, Japanese Journal of Applied Physics, 32, (1993)

[5]

Tardif, Et al., UCPSS'94 conferences, (1994)

[6]

Tardif, Et al., ECS, Satellite symposium to ESSDERC 1993, (1993)

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