未找到相关数据
BROAD AND FOCUSED ION-BEAM GA+ IMPLANTATION DAMAGE IN THE FABRICATION OF P+-N SI SHALLOW JUNCTIONS
被引：3
作者：
STECKL, AJ
LIN, CM
PATRIZIO, D
RAI, AK
PRONKO, PP
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-161
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：161 / 166
页数：6
相关论文