DC AND RF MEASUREMENTS OF THE KINK EFFECT IN 0.2-MU-M GATE LENGTH ALINAS GALNAS INP MODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：22

作者：

PALMATEER, LF ^{[1
]}

TASKER, PJ ^{[1
]}

SCHAFF, WJ ^{[1
]}

NGUYEN, LD ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,NATL NANOFABRICAT FACIL,ITHACA,NY 14853

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1989年 / 54卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1063/1.101151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2139 / 2141

页数：3

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