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IMPURITY GETTERING BY IMPLANTED CARBON IN SILICON
被引：13
作者：
WONG, H
CHEUNG, NW
YU, KM
CHU, PK
LIU, J
机构：
来源：
ION BEAM PROCESSING OF ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS
|
1989年
/
147卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-147-97
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：97 / 106
页数：10
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