复杂TPD谱图的定量解析

本文以H2在Cu/ZnO/Al2O2型低变催化剂上的程序升温脱附为例,解析了其TPD谱图。提出了Tf法及曲线拟合法。与其它几种方法计算结果的对比表明,该方法具有一定的可靠性及可行性。由分析计算得到的动力学参数可知,同一催化剂,不同的活泼部位具有相同形式的脱附动力学方程,而只是动力学参数不同。计算结果还表明,Cu/ZnO/Al2O3型低变催化剂对H2的有效表面为非理想表面,并求出脱附过程中的频率因子γd、活化能Ed与表面复盖度θ的函数关系分别为指数函数和对数函数。从脱附级数推测出,H2在Cu/ZnO/Al2O3型低变催化剂上的吸附为分解二位吸附。