键合线失效对于IGBT模块性能的影响分析

被引：78

作者：

王春雷 ^{[1
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郑利兵 ^{[1
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方化潮 ^{[1
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韩立 ^{[1
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机构：

[1] 电驱动系统大功率电力电子器件封装技术北京市工程实验室

[2] 中国科学院电工研究所

[3] 中国科学院大学

来源：

电工技术学报 | 2014年 / 29(S1)卷 / S1期

关键词：

IGBT; 功率模块; 键合线; 热电耦合; 有限元模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

IGBT模块的键合线与芯片的热膨胀系数不匹配引起的键合线故障是模块失效的重要因素。本文对IGBT模块导热机理进行了分析,并建立了IGBT模块热电耦合场下的键合点温度估算模型。同时,建立了IGBT模块三维热电耦合有限元模型,进行了非线性瞬态数值计算,得到了芯片表面以及键合线结构的温度分布模型,并进行了实验验证。结果显示,相同载荷下键合点脱落会显著引起IGBT模块芯片结温的升高,芯片结温的升高降低IGBT模块的性能,进而引起模块失效。

引用

页码：184 / 191

页数：8

共 10 条

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