脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究

被引：5

作者：

程成 ^{[1
]}

薛催岭 ^{[1
]}

宋仁国 ^{[2
]}

机构：

[1] 浙江工业大学应用物理系

[2] 浙江工业大学教育部机械制造与自动化重点实验室

来源：

光电子激光. | 2009年 / 20卷 / 02期

关键词：

脉冲激光沉积; Ge; 纳米薄膜; 微观结构; 生长机理;

D O I：

10.16136/j.joel.2009.02.003

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况。结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均晶粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大。当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,且薄膜表面变得比较均匀。此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大。在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析。

引用

页码：204 / 207

页数：4

共 4 条

[1] 金属Fe薄膜的PLD制备及其非线性光学性质研究 [J].

王伟田 ;

关东仪 ;

周岳亮 ;

吕惠宾 ;

陈正豪 .

物理学报, 2005, (07) :3429-3433

[2]

Effect of substrate porosity on photoluminescence properties of ZnS films prepared on porous Si substrates by pulsed laser deposition[J] . Cai-feng Wang,Qing-shan Li,Li-chun Zhang,Lei Lv,Hong-xia Qi.Optoelectronics Letters . 2007 (3)

[3]

Epitaxial growth of AlN on Cu(111) substrates using pulsed laser deposition[J] . S. Inoue,K. Okamoto,N. Matsuki,Tae-Won Kim,H. Fujioka.Journal of Crystal Growth . 2006 (2)

[4]

Pulsed laser ablation and deposition of thin films .2 Ashfold M N R,Claeyssens F,Fuge G M,et al. Chem Soc Rev . 2004

← 1 →