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Photoluminescence study on threading dislocation in GaN revealed by selective photoelectrochemical etching
被引：7
作者：
机构：
[1] Hsieh, J.T.
[2] Hwang, J.M.
[3] Hwang, H.L.
[4] Ho, J.K.
[5] Huang, C.N.
[6] Chen, C.Y.
[7] Hung, W.H.
关键词：
D O I：
10.1149/1.1391158
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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