Gas source MBE growth and doping characteristics of AlInP on GaAs

被引：6

作者：

State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China ^{[1
]}

机构：

来源：

Mater Sci Eng B | 2006年 / 1-3卷 / 49-53期

关键词：

Molecular beam epitaxy;

D O I：

10.1016/j.mseb.2006.03.026

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用