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CHANNELLING STUDIES OF ION IMPLANTATION INDUCED LATTICE DEFECTS IN ZINC TELLURIDE.
被引：13
作者：
Bontemps, A.
Ligeon, E.
Danielou, R.
机构：
来源：
Radiation Effects
|
1974年
/
22卷
/
03期
关键词：
Compendex;
D O I：
10.1080/10420157408230780
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
ZINC AND ALLOYS
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页码：195 / 204
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