Photoluminescent and electroluminescent properties of porous silicon

被引：17

作者：

Koshida, Nobuyoshi ^{[1
]}

Koyama, Hideki ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Univ of Agriculture and, Technology, Tokyo, Japan

来源：

关键词：

Anodization parameters - Porous silicon - Silicon wafers - Solid state contact;

D O I：

10.1088/0957-4484/3/4/009

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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