FABRICATION BY TRI-LEVEL ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY OF X-RAY MASKS WITH 50nm LINEWIDTHS, AND REPLICATION BY X-RAY NANOLITHOGRAPHY.

被引：9

作者：

Anderson, Erik H. ^{[1
]}

Kern, D.P. ^{[1
]}

Smith, Henry I. ^{[1
]}

机构：

[1] MIT, Cambridge, MA, USA, MIT, Cambridge, MA, USA

来源：

Microelectronic Engineering | 1987年 / 6卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(87)90085-2

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

11

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