W-band oscillator using ion-implanted InGaAs MESFET's

被引：2

作者：

Schellenberg, J.M. ^{[1
]}

Lau, C.L. ^{[1
]}

Feng, M. ^{[1
]}

Brusenback, P. ^{[1
]}

机构：

[1] Schellenberg Assoc, Huntington, Beach, CA, USA

来源：

IEEE Microwave and Guided Wave Letters | 1991年 / 1卷 / 05期

关键词：

Oscillators;

D O I：

10.1109/75.89076

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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