SELECTIVE SILICON EPITAXIAL GROWTH FOR DEVICE-ISOLATION TECHNOLOGY.

被引：47

作者：

Ishitani, Akihiko ^{[1
]}

Kitajima, Hiroshi ^{[1
]}

Tanno, Kohetsu ^{[1
]}

Tsuya, Hideki ^{[1
]}

机构：

[1] NEC, Kawasaki, Jpn, NEC, Kawasaki, Jpn

来源：

Microelectronic Engineering | 1986年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(86)90003-1

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

36

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