OPTICAL ELECTRICAL AND CONTACT PROPERTIES OF HOMOCVD a-Si:H FILMS.

被引：6

作者：

Kanicki, J. ^{[1
]}

Scott, B.A. ^{[1
]}

Inushima, T. ^{[1
]}

Brodsky, M.H. ^{[1
]}

机构：

[1] IBM, Thomas J. Watson Research Cent,, Yorktown Heights, NY, USA, IBM, Thomas J. Watson Research Cent, Yorktown Heights, NY, USA

来源：

关键词：

HOMOGENEOUS CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON FILMS - SCHOTTKY DIODE;

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90778-1

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：789 / 792