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Non-planar and masked-area epitaxy by organometallic chemical vapour deposition
被引：5
作者：
Bhat, R.
[1
]
机构：
[1] Bellcore, Red Bank, United States
关键词：
Semiconducting Gallium arsenide;
D O I：
10.1088/0268-1242/8/6/003
中图分类号：
学科分类号：
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