Thermally excited silicon oxide bridge resonators in CMOS technology

被引：4

作者：

Brand, O. ^{[1
]}

Baltes, H. ^{[1
]}

Baldenweg, U. ^{[1
]}

机构：

[1] Swiss Federal Inst of Technology, Zurich, Switzerland

来源：

Journal of Micromechanics and Microengineering | 1992年 / 2卷 / 03期

关键词：

5;

D O I：

10.1088/0960-1317/2/3/023

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：208 / 210

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