ELECTRICAL TRANSPORT PROPERTIES OF TUNGSTEN SILICIDE THIN FILMS.

被引：16

作者：

Li, B.Z. ^{[1
]}

Aitken, R.G. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Colorado at Colorado, Springs, Dep of Physics & Energy, Science, Colorado Springs, CO, USA, Univ of Colorado at Colorado Springs, Dep of Physics & Energy Science, Colorado Springs, CO, US

来源：

Applied Physics Letters | 1985年 / 46卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.95592

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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