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H, He, and N implant isolation of n-type GaN
被引：114
作者：
Binari, S.C.
Dietrich, H.B.
Kelner, G.
Rowland, L.B.
Doverspike, K.
Wickenden, D.K.
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.360712
中图分类号：
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