未找到相关数据
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE AVERAGE ENERGY PER ELECTRON-HOLE PAIR IN SILICON AND GERMANIUM.
被引：10
作者：
Stuck, R.
Ponpon, J.P.
Berger, R.
Siffert, P.
机构：
来源：
Radiation Effects
|
1973年
/
20卷
/
1-2期
关键词：
Compendex;
D O I：
10.1080/00337577308232269
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
引用
收藏
页码：75 / 80
相关论文