Synchrotron radiation lithography applied to fabrication of deep-submicrometer NMOS devices at all exposure levels

被引：4

作者：

机构：

[1] Yoshikawa, A.

[2] Horiuchi, T.

[3] Deguchi, K.

[4] Miyake, M.

[5] Yamamoto, E.

[6] Sakakibara, Y.

[7] Kitayama, T.

来源：

Yoshikawa, A. | 1600年 / 11期

关键词：

Deep-Submicrometer Devices - Linewidth Control - NMOS Devices - Synchrotron Radiation Lithography - ULSI;

D O I：

10.1016/0167-9317(90)90104-2

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1 / 4