Fabrication of high aspect ratio symmetric and asymmetric T-shaped gates for high frequency pseudomorphic HEMTs

被引：1

作者：

Lopez, E. ^{[1
]}

Marten, A. ^{[1
]}

Forchel, A. ^{[1
]}

Caceres, J.L. ^{[1
]}

Nickel, H. ^{[1
]}

Schlapp, W. ^{[1
]}

Loesch, R. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Stuttgart, Germany

来源：

关键词：

Multilayer - Pseudomorphic HEMT - Resists - T-Shaped Gates - T-Shaped Metal Lines;

D O I：

10.1016/0167-9317(90)90082-5

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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