Point defect characterization of GaN and ZnO

被引：16

作者：

Semiconductor Research Center, Wright State University, Dayton, OH 45435, United States ^{[1
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机构：

来源：

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology | 1999年 / 66卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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