PRIME process for deep UV and e-beam lithography

被引：11

作者：

Pierrat, C. ^{[1
]}

Tedesco, S. ^{[1
]}

Vinet, F. ^{[1
]}

Mourier, T. ^{[1
]}

Lerme, M. ^{[1
]}

DalZotto, B. ^{[1
]}

Guibert, J.C. ^{[1
]}

机构：

[1] LETI, France

来源：

关键词：

Dry Developed Resist - E-Beam Lithography - Polysilicon - PRIME (Positive Resist Image by Dry Etching - Rutherford Backscattering - Silylation;

D O I：

10.1016/0167-9317(90)90160-U

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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