EXCITONS BOUND TO PAIRS OF SHALLOW IMPURITIES IN Si AND GaAs.

被引：1

作者：

Fieseler, H. ^{[1
]}

Haufe, A. ^{[1
]}

机构：

[1] Karl-Marx-Univ, Leipzig, East Ger, Karl-Marx-Univ, Leipzig, East Ger

来源：

Semiconductor Science and Technology | 1987年 / 2卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/2/1/011

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

10

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