氧化镓纳米带的合成和发光性质研究

被引：6

作者：

郭彦

吴强

王喜章

胡征

陈懿

机构：

[1] 介观化学教育部重点实验室江苏省纳米技术重点实验室南京大学化学系

[2] 介观化学教育部重点实验室江苏省纳米技术重点实验室南京大学化学系南京

[3] 南京

来源：

无机化学学报 | 2005年 / 05期

关键词：

氧化镓; 纳米带; 化学气相沉积; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

O614.123 [金Au];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

采用化学气相沉积法,以碳纳米管作还原剂还原Ga2O3粉末,生成的气态Ga2O和载气Ar中的微量O2反应,在多孔氧化铝模板上沉积得到了Ga2O3纳米带。用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和选区电子衍射对产物的结构和形态进行表征,发现产物为β鄄Ga2O3纳米带,宽度在20￣500nm之间,厚度为5￣100nm,长度可达几十微米。产物中还有几微米宽的Ga2O3纳米片。光致发光谱结果表明β鄄Ga2O3纳米带能发射蓝光和紫外光。文中还简单推测了β鄄Ga2O3纳米带的形成机理。

引用

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